最近花姐发现有诸多的小伙伴们对于三星的新型ARM芯片将实现智能手机的创纪录速度这个问题都颇为感兴趣的，大家也都想要及时了解到三星的新型ARM芯片将实现智能手机的创纪录速度相关信息，那么花姐今天就来为大家梳理下具体的关于这个问题的一些消息吧。

三星和ARM宣布他们目前的合作伙伴关系将继续。两家公司在韩国公司的处理器制造方面密切合作，后者是市场上最先进的生产工艺之一。它的下一代产品将采用7纳米工艺制造。因此，我们希望公司的这些新芯片具有出色的性能。

这项合作的结果是，高性能内核中的处理器速度将超过3 GHz。这将打破最后一个Exynos在2.9 GHz时创下的记录。

三星与ARM继续合作

这种成功很大程度上归功于ARM的Artisan Physical IP平台。多亏了它，它的优势将应用于三星的7纳米处理器。然后制成5纳米的材料。如果一切顺利，前者的生产将在今年下半年开始。因此，它们应该在明年上市。

三星已经领先于该行业中的许多公司，因为像英特尔这样的公司目前甚至都没有采用10纳米处理器。这就是为什么该公司成为迄今为止市场上最具创新性的公司之一的原因。与ARM合作的结果。

这项合作的结果是，高性能内核中的处理器将在某些时候达到并超过3 GHz的速度。这将打破最后一个Exynos在2.9 GHz时创下的记录。

三星与ARM继续合作

这种成功很大程度上归功于ARM的Artisan Physical IP平台。多亏了它，它的优势将应用于三星的7纳米处理器。然后制成5纳米的材料。如果一切顺利，前者的生产将在今年下半年开始。因此，它们应该在明年上市。

三星已经领先于该行业中的许多公司，因为像英特尔这样的公司目前甚至都没有采用10纳米处理器。这就是为什么该公司成为迄今为止市场上最具创新性的公司之一的原因。与ARM合作的结果。

目前尚不清楚它们何时会进入市场，最有可能在2019年，但是我们没有日期。也不知道韩国公司的哪些模型将使用它们。尽管它们可能是Galaxy X和/或Galaxy S10。