据报道，三星正计划使用14nm FinFET工艺制造一台14,000万像素的相机传感器。这些信息来自于众所周知的泄密者冰宇宙（Ice Universe）以其与三星相关的泄密事件而闻名的推特。

该推特还附带了信息图表，显示“目前的趋势，CMOS图像传感器增加”。如今，传感器像素可以从小于1000万到超过1亿像素不等。

疯狂，三星计划用14nm的工艺制作144MP传感器..pic.twitter.com/H9PvLUuq YY

根据推特，据报道，三星将使用14nm处理技术来开发传感器，该传感器的密度将超过1亿像素。这一过程将被补充BuFin FET技术，以帮助降低传感器的功耗。

有关传感器的更多细节尚不确定，三星尚未正式宣布。然而，它即将到来的几率很高，三星已经提出了14nm FinFET工艺，该工艺已在上周的国际电子设备会议上被优化为成像应用。

新的传感器，当它到达，可能是一个游戏改变的智能手机行业。它将是第一个在商业上和主流中跨越1亿像素阈值的传感器。然而，有小米与其概念智能手机，MiMixAlpha，将与108megapixles（三星的ISOCELLBright HMX Sensor）接近其正式推出，并将见证有限的发布本月本身。