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EETimes的一份报告显示了英特尔的MRAM(磁阻随机存取存储器)，适用于大规模生产。MRAM是一种非易失性存储技术，这意味着即使发生电源故障，它也可以保留信息，从而使其成为存储设备而不是标准RAM。

未来将开发MRAM存储器来替代DRAM存储器(RAM存储器)和NAND闪存。

MRAM有望更容易制造并提供卓越的性能。与NAND闪存技术相比，事实证明MRAM具有达到1 ns的响应时间的能力，优于目前公认的DRAM理论极限，并且写入速度要快得多(快达一千倍)，这就是为什么这种存储器是如此重要。

它可以存储长达10年的信息，并且可以承受200摄氏度的高温

但是，技术问题尚不清楚。尽管仍然使用了99.9%的蓝色，但据称使用的是特殊的22FFL FinFET级光刻工艺，但它们并未透露有关该技术的任何细节。有趣的是，Wikichip专家认为这是该技术的14纳米开发版本，而不是22纳米，可能暗示了这个名称。除了英特尔MRAM的使用高斯现象外，我们对它的操作也不了解

英特尔22纳米MRAM存储器已批量生产成熟

利用当前功能，MRAM可以在125摄氏度和高电阻下实现10年的数据存储。除了高强度外，集成的22nm MRAM技术还获得了99.9%以上的比特率，这对于一个相对较新的技术来说是令人惊讶的性能。

目前尚不清楚为什么英特尔采用22纳米制程来制造这些内存，但是我们可以凭直觉说，这并不是要饱和其CPU处理器使用的14纳米产品。他们也没有评论我们要等多久才能看到这种记忆体在PC市场上的作用。