三星表示，EUV技术减少了多模式中的重复步骤，提高了模式精度，从而提高了性能和更高的产量，缩短了开发时间。 据该公司介绍，它是第一个在DRAM生产中采用EUV来克服DRAM缩放挑战的公司。

三星电子(SamsungElectronics)D RAM产品和技术执行副总裁荣贝(Jung-bae Lee)表示，这一进展突出表明，三星将如何通过及时开发领先的过程技术和下一代内存产品，为优质内存市场为全球IT创新做出贡献。

他续说：「随着我们新推出的基于EUV的DRAM产品的生产，我们正全力致力提供革命性的DRAM解决方案，以支援全球资讯科技客户。」

三星上个月宣布，其第一家致力于EUV光刻的V1半导体生产线已开始批量生产。 该设施用于生产6nm和7nm芯片，最终能够一路下降到3nm。 到2020年底，三星将向工厂注入60亿$。

这家芯片制造商表示，计划今年晚些时候在韩国平泰克(Pyeongtaek)开设第二条半导体生产线，以帮助解决对下一代优质DRAM日益增长的需求。