三星没有披露新工艺的具体数字，只是模糊地称之为10nm级别或者1xnm，而根据韩国媒体此前报道，三星用的是18nm，继续领先SK海力士、美光等对手。

三星表示，新工艺克服了DRAM行业中的大量技术挑战，包括独有的单元设计技术、四重曝光技术(QPT)、超薄介质层沉积技术等等，而且依然使用了已有的氟化氩沉浸式光刻工艺，并未启用昂贵且不成熟的EUV极紫外光刻。

新的1xnm DDR4内存颗粒单颗容量8Gb(1GB)，频率高达3200MHz，相比于20nm工艺下的DDR4-2400性能可提升30%，同时同等频率下功耗降低10-20%，PC、主流服务器、大型企业网络、高性能计算系统中都有广阔的前景，单条容量最大可做到128GB。

今年晚些时候，三星还会使用新工艺生产新的移动用DRAM内存颗粒，面向智能手机和平板机领域。

随着新工艺的到来、产能的扩大，以及PC需求的下降、手机需求的增长减缓，内存价格将在今年出现大幅度下滑，下半年至少会降20-30%，最多可达40%。三星18nm加入战局，必然会进一步刺激价格走低。

性能方面官方宣称持续读写最高可达560MB/s、480MB/s，属于主流较高水准，单么实际情况如何呢?

- 120GB：读取450.87MB/s、写入170.47MB/s

- 240GB：读取465.21MB/s、写入439.25MB/s

- 360GB：读取460.16MB/s、写入427.99MB/s

- 480GB：读取475.49MB/s、写入443.92MB/s

- 1TB：读取481.26MB/s、写入432.26MB/s

读取基本只有450-480MB/s的样子，比标称值低了15-20%。

写入还好一些，基本都能达到430MB/s左右，只比标称值低了约10%，但是最小容量的120GB非常惨，仅仅170MB/s，应该是闪存通道不足的缘故，再加上120GB容量使用起来实在紧张，不值得推荐考虑。

Intel SSD 540s系列将在4月份上市，价格未公布，估计120GB版本应该在60美元左右，1TB的则是320美元上下，另外2.5寸、M.2版本价格会是相同的。