三星电子(SamsungElectronics)今天宣布，它将推出行业中第一个使用尖端极端紫外线技术(E UV)设计的DRAM内存模块。

三星(Samsung)表示，对其第一批10nm级DDR4D RAM模块的100万个评估单元的反应是积极的，它将很快开始处理全球分销订单。

EUV技术允许更准确、更快速地制造内存模块。 它通过减少重复步骤的数量来加快光刻过程，并方便复杂芯片图案的产生.. 这意味着更高的性能精度和缩短的开发时间。

正如激光技术一样，EUV将芯片蓝图放置在硅上，但使用波长要短得多的光，从而能够高度精确地复制微小的设计特征。

这也意味着更多的特征可以以更低的成本蚀刻。

三星DRAM部门执行副总裁荣贝？李(Jung-bae Lee)表示：“随着我们新的基于EUV的DRAM产品的生产，我们将充分致力于提供革命性的DRAM解决方案，以支持全球IT客户。

三星并不是唯一专注于EUV技术的公司。 台湾半导体制造公司(TSMC)去年开始用EUV技术制造其7nmN7芯片。 根据公司的测试，这些芯片比使用氩氟激光光刻技术制造的旧N7芯片低10%的功耗，可容纳高达20%的晶体管密度。

英特尔在近20年前开始探索EUV过程。 它正在为新的芯片生产线做生产准备。 去年夏天，英特尔公司EUV的同事兼董事布里特·图科特说，由于EUV的复杂性和成本，工程师们在设计一个使用EUV的生产系统时面临挑战。 芯片制造公司将要求建造新的设施来处理新技术。

消费者不应该期望看到新产品与新的芯片设计，直到今年晚些时候。 三星正在韩国平泰克完成一个新的芯片生产设施，预计将在夏季后投入运行。

三星将使用10nmEUV技术为所有后代DRAM芯片。 这将包括基于D1a的16GB DDR5和用于计算机的LPDDR5内存芯片，预计将在2021年推出生产线。 它还包括用于智能手机的LPDDR4X RAM芯片。

三星(Samsung)的李(Lee)表示：“这一重大进展突出表明，我们将如何通过及时开发领先的流程技术和高端内存市场的下一代内存产品，继续为全球IT创新做出贡献。